本文目录
- 用c9013三极管，为一个红外接收管做一个放大电路，
- 三极管c9013参数
- 三极管S9014是否能替代C9013
- 三极管C9013 是什么意思
- 9013三极管详细参数
- 三极管S9013和C9013有什么区别
- 三极管上的两排字母（数字）表示什么c9013 h331是干嘛的两排字母（数字）不一样的2个三极管的作用一样
- 晶体三极管9013和9014参数
用c9013三极管，为一个红外接收管做一个放大电路，
光电二极管引脚极性识别方法：
长引脚为光电管内部二极管负极，但由于光电二极管反用，因此长引脚将接电源的正极，所以把长引脚确定为正极。
只需把光电管（红外接收管）的短引脚（内二极管正极）接9013基极B就行了，经外管长引脚一极接电源
三极管c9013参数
型号 材料与极性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V)
C9013 SI-NPN 0.625 500 40
主要用于低频放大与电子开关
-c9013
三极管S9014是否能替代C9013
S9014 NPN 、Vceo 45V、Ic 0.1A、Pc 0.45W
C9013 NPN 、Vceo 20V、Ic 0.5A、Pc 0.625W
引脚完全一样，对电流和功率要求不高时可以替代。
-c9013
三极管C9013 是什么意思
就是一个普通NPN三极管，C9013是型号，H844应该厂家或者批号什么的，不是放大倍数
你说的那个电路，我估计这个三极管就是其开关作用的，不是用来放大。
9013三极管详细参数
9013 三极管 详细参数如下，
集电极电流Ic：Max 500mA
集电极-基极电压Vcbo：40V
工作温度：-55℃ to +15[）0℃
功率（W）:0.625
hFE:64~202
扩展资料
9013 是一种低电压、大电流，小信号的NPN型硅三极管。
主要用在开关应用电路和射频放大电路上。其封装形式有TO-92插件封装、SOT-23贴片封装
三极管S9013和C9013有什么区别
工作频率S9013稍低一些，不过用在继电器上都没问题。
把三极管的集电极接在继电器的控制端的一头，继电器另一个控制端接在电源正上，三极管的发射极接地，基极串连一个1K的电阻接在信号线上，在继电器的两个控制端上反向并联一个1N4148二极管，用来保护三极管，当信号为高电平时继电器吸合，低电平是继电器断开。
-c9013
三极管上的两排字母（数字）表示什么c9013 h331是干嘛的两排字母（数字）不一样的2个三极管的作用一样
“c9013”是此管的型号。C即2SC缩写，NPN型硅三极管的意思，“9013”是开发序号，不同序号的三极管参数是不同的，9013属于中功率低频管。“h”是放大系数标识，不同字母代表不同的放大系数。“331”应该是厂家或批次之类的意思无关紧要。
-c9013
晶体三极管9013和9014参数
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C9013NPN三极管
△主要用途：
作为音频放大和收音机1W推挽输出
（C9012互补）
参数符号测试条件最小值典型值最大值单位
集电极漏电流ICBOVCB=30V,IE=0100nA
发射极漏电流IEBOVBE=5V,IC=0100nA
集电极、发射极击穿电压BVCEOIC=1mA,IB=025V
发射极、基极击穿电压BVEBOIE=100μA,IC=05V
集电极、基极击穿电压BVCBOIC=100μA,IE=030V
集电极、发射极饱和压降VCE(sat
)
IC=500mA,IB=50mA0.6V
基极、发射极饱和压降VBE(sat
)
IC=500mA,IB=50mA1.2V
基极、发射极压降VBEVCE=1V,IC=10mA1.0V
直流电流增益HFE1VCE=1V,IC=50mA96300
HFE2VCE=1V,IC=500mA40
1.2
参数符号标称值单位
集电极、基极击穿电压VCBO30V
集电极、发射极击穿电压VCEO25V
发射极、基极击穿电压VEBO5V
集电极电流IC500mA
集电极功率PC625mW
结温TJ150℃
贮存温TSTG-55-150℃
6发射
△电参数（Ta=25℃）
（按HEF1分类）标准分档：F：96-135G：112-166H:144-202I:200-300
TO-92
1.发射极E
2.基极B
3.集电极C
FGH1H2I1I2
96-120120-150150-170170-200200-250250-300
C9014NPN三极管
△主要用途：
作为低频、低噪声前置放大，应用于电话机、VCD、
DVD、电动玩具等电子产品（与C9015互补）
参数符号测试条件最小值典型值最大值单位
集电极漏电流ICBOVCB=60V,IE=0100nA
发射极漏电流IEBOVBE=5V,IC=0100nA
集电极、发射极击穿电压BVCEOIC=1mA,IB=050V
发射极、基极击穿电压BVEBOIE=10μA,IC=05V
集电极、基极击穿电压BVCBOIC=100μA,IE=060V
集电极、发射极饱和压降VCE(sat
)
IC=100mA,IB=10mA0.25V
基极、发射极饱和压降VBE(sat
)
IC=100mA,IB=10mA1.0V
直流电流增益HFE1VCE=6V,IC=2mA120700
HFE2VCE=6V,IC=150mA25
参数符号标称值单位
集电极、基极击穿电压VCBO60V
集电极、发射极击穿电压VCEO50V
发射极、基极击穿电压VEBO5V
集电极电流IC150mA
集电极功率PC625mW
结温TJ150℃
贮存温TSTG-55-150℃
6发射
△电参数（Ta=25℃）
（按HEF1分类）标准分档：B：100-300C：200-600D:400-1000
TO-92
1.发射极E
2.基极B
3.集电极C
BC1C2D1D2D3
120-200200-300300-400400-500500-600600-700
-c9013
