紫光尚且不是自主研发出了DDR3内存,至于紫光开始量产DDR4内存,紫光的NAND闪存也比全球市场上的主流产品落后了大约两年,紫光生产DDR3内存的工艺应该也落后于国外同行不少,紫光集团在2018年内会向业界推出DDR4内存,后面研发出DDR4内存应该用不了多长的时间了,假设兆易创新研发出了用于生产DRAM内存的19nm工艺,虽然从DDR到DDR4内存条的长度并没有变化。
电脑内存DDR3和DDR4有什么区别
电脑内存的主要作用是配合CPU来完成各类数据的运算
内存只是起到暂存数据的一个桥梁作用，电脑中的所有程序和软件数据都是由CPU来处理与分配，由硬盘或其他存储设备来存储。但硬盘的读写速度远远跟不上CPU的读写速度，就需要内存这个媒介来暂存数据，使高速、低速读写的两个设备能接洽上。
内存条是随机存储器，关机后里面的数据会全部丢失，但它的读写速度是极快的。即使现在的固态硬盘也没有办法取代内存，固态硬盘使用的闪存，速度没有内存快，介于内存和机械硬盘之间。
内存条经历了SIMM、FPMDRAM、EDODRAM、SDRSDRAM、RambusDRAM等时代。早期的内存条并不像现在这样可插拔，而是直接焊接在主板上，容量普遍只有64KB~256KB。
DDR内存（全称DDRSDRAM，即DualDate Rate SDRAM，是SDRSDRAM的升级版）出现后，内存容量开始从MB到GB时代。
DDR发展到今天已经第四代，并且第五代已经在路上了
自DDR内存面世以来，由于它的大容量、高带宽、良好的兼容性使它可以快速的占领市场并沿用至今。从DDR、DDR2、DDR3到DDR4，DDR系列的内存长度并没有改变（133.35±0.15mm），变化的部分是针脚的数量和间隔，DDR内存有184个针脚、DDR2和DDR3内存有240个针脚、DDR4内存有284个针脚。-ddr内存
DDR内存随着迭代升级工作电压也在不断的降低，DDR内存工作电压是2.5V、DDR2内存工作电压是1.8V、DDR3工作电压是1.5V、DDR4则降到了1.2V，内存电压降低意味着更节能，这样移动设备的续航会提高。但并不见得电压越低就越好，比如超频一般是通过提高电压来获得更高的性能。-内存
DDR是从SDRAM（双倍速率同步动态随机存储器）基础上发展出来的全新系列产品，DDR一代运行频率主要有100MHz、133MHz、166MHz三种，后面的DDR2、DDR3、DDR4都是在这三个运行频率上倍数出来的。频率越高表示传输的速度越快，CPU对内存进行读写的速度也就越快。这里的“快”并不是说从拖拉机变成了超跑，而是载货量变多了。-ddr内存
DDR4相对于DDR3的提升
除了上面提到的这些优势外，DDR4内存PCB板的厚度有所增加，这样可以容纳更多的信号层。DDR4的引脚也不再是直直的一排，而是首尾两边有一定程度的收紧，这样可以缓解安装时对PCB板的压力。
增加了地址线Ax，所以可以支持更大容量，理论最大容量可以达到512GB。
DDR4增加了地址线（Ax），理论就支持更大的容量，最高理论容量达512GB，每个引脚速度超过2Gbps。
在预读宽度（Prefetch）不变情况下，想要提升前端总线速度，就只能提升提升内部的时钟频率。DDR4内存的时钟频率直接200MHz起跳至400MHz。
DDR4内存增加了用于提高数据可靠性的循环冗余校验（CRC），可以对链路上传输的“命令和地址”进行完整性验证的芯片奇偶检测。还具有强的信号完整性及其他强大的RAS功能。
DDR4还带来了很有意思的改变Bank Group，每个Group都可以单独工作，这样一次完整的8n预读不需要等另一个Group。比如：数据凑巧分布在不同的Group中，Bank Group会带来巨大的性能提升（最好的情况是2个Bank Group和16n预读的提升一样、4个Bank Group和32n预读的提升一样）。-内存
还在用DDR2、DDR3，有必要马上换DDR4吗？
虽然从DDR到DDR4内存条的长度并没有变化，但针脚数和PCB板缺口处还是有明显的不同，目的就是为了避免大家插错内存条，因为每一代的DDR之间并不向下兼容。想替换内存条之前一定要查看一下主板支持的型号。-ddr内存
另外一台优质的高速电脑并不是依靠某一个硬件就可以达到的，而是综合性能的体现，可以参考CPU和显卡的性能再做出选择。DDR4确实是普及了，但并不代表DDR3就淘汰了，实际上用DDR2的还有不少。
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如何看待紫光DDR4内存开始量产
我不想骗网友们的赞，我就实话实说了。
从2017年底到2018年初，网络上一直有些媒体，尤其（不懂行）的科技自媒体连二连三地发布了些消息，大意是：紫光集团已经有了DDR3内存，后面研发出DDR4内存应该用不了多长的时间了。之后紫光就能把三星踩在自己的脚下，从而让内存芯片的价格降下来，甚至降到白菜价的水平。当然，确实有些网友可能对这个行业了解得深入一点，对紫光研发存储芯片的话题不是冷嘲，就是热讽。-内存
在这里，我先表明我的态度。存储器行业本来是集密集的资金、技术和人才于一体的高科技行业。由于近几百年的历史等原因，中国曾经接连错过了前三次技术革命的大好机遇。所幸，自中国改革开发以来，如今中国已经发展成了大国，下一步需要从大国发展成为科技强国。那么信息技术产业作为高科技产业的基础产业，中国当然有必要投入资本和人力等资源，从而把这个基础产业抓起来，做出规模，做到国际一流的技术水准。紫光集团作为在中国的一家本土厂商，业已布局存储芯片行业，既面临前所未有的挑战，又是为自己创造了机遇。从古至今，人类其实一直都在干着相同的事情，即面对问题，然后解决问题，再面对问题，又再解决问题。紫光研发存储芯片的过程中，当然会遇到一个个有难度的问题，具体就看紫光怎么解决这些问题。而不应该像某些网友们那样想的，有那么多难的问题要解决，干脆放弃算了。其实，在我看来，紫光集团即便学习京东方的成功之道，也未尝不可。-ddr内存
2017年，全球DRAM内存的产值达720亿美金，主要的原因便是DRAM内存芯片的价格在一年内大幅上涨了74%所致！同期，全球NAND闪存的产值近500亿美金，而闪存芯片的价格在过去一年多里也是上涨了不少的。在全球DRAM内存市场中，三星、海力士和美光三家便共同占得了95%左右的市占率，尤其三星就占得了近一半的市场份额，海力士的市占率大约三成。再进一步说就是，来自韩国的这两家厂商在全球DRAM内存市场中占有了差不多四分之三的市场。-内存
现在若是有厂商想要进军到内存行业，面临着极大的门槛。其他国家或者地区因为没有存储器芯片产业链，根本就无从谈起培养人才和积累技术。况且，存储器工厂与处理器工厂也一样，也要不断地提升工艺制程，自然需要不断地投入资金和研发新的技术。当初，海力士和美光在升级用于生产DRAM内存的20nm制程的过程中遭遇不顺，而最终落后于三星。三星在全球不仅率先量产了20nm工艺，还第一个投产了18nm工艺。不出意外，三星今后仍将是全球第一个投产17nm、16nm工艺。所以，中国要在本土打造属于自己的DRAM内存产业链，钱，人和技术都不能少。当前中国并不缺钱，缺的恰恰是技术和人才。再想想当年三星血洗全球存储器行业，连奇梦达、尔必达等厂商要嘛落得个破产的下场，要嘛干脆从市场中退出。所以，紫光集团进入存储器行业，并且是从零起步，面临的压力和难度可想而知。-ddr内存
据熟知该行业的人士称，紫光的DDR3内存其实也才处于刚起步的阶段。并且，紫光尚且不是自主研发出了DDR3内存，而是当年奇梦达研发出的产品。至于紫光开始量产DDR4内存，连紫光集团近期都亲自出面辟谣了这一传言。不过仍有媒体称，紫光集团在2018年内会向业界推出DDR4内存，更详细且关键的信息则未见媒体提及。紫光量产DDR3内存的进度已大大落后于国外同行，紫光生产DDR3内存的工艺应该也落后于国外同行不少。有业者推测，紫光的DDR3内存应该依然采用的是30nm及其以上的工艺。上面已经说到，目前，全球内存芯片的主流工艺已经到了20nm的节点，况且三星在2016年便投产了18nm工艺。国产内存的工艺达到了什么样则水平，其实一直是个谜题。根据兆易创新公布出来的信息，2018年内，兆易创新将研发出19nm工艺。假设兆易创新研发出了用于生产DRAM内存的19nm工艺，那确实可以说兆易创新的工艺很不错。但值得一提的是，兆易创新对此定下的目标是，该工艺的良率在10%以上。-内存
上面说了DRAM内存，顺便再说一下NAND闪存。紫光除了要生产DRAM内存外，还在研发NAND闪存芯片。紫光已经研发出了32层3D NAND闪存，容量64Gb。当前国际主流市场的是64层3D NAND闪存，容易256Gb甚至512Gb。紫光的NAND闪存也比全球市场上的主流产品落后了大约两年。至于紫光未来投产NAND闪存会采用什么节点的工艺，这里仍然可以通过兆易创新作为参考。据业者透露，兆易创新现有可量产NAND闪存芯片的是38nm工艺，并仍在研发24nm工艺。而且兆易创新的工艺还是用于生产2D NAND闪存，并非3D NAND闪存。事实上，三星和东芝早已量产16nm、15nm的2D NAND闪存，目前已经在淘汰这些落后的工艺技术了。-ddr内存
最后，但愿国产存储器芯片能早一天达到国际一流的水准。
除了金士顿芝奇三星，选购内存条还有更好的选择吗
目前中高端内存做的好的：芝奇，茗人堂，海盗船。
中低端和游戏家用常用内存：金士顿，威刚，铭瑄，金泰克，瞻宇，英睿达等等
目前追求顶级高端的话就是芝奇，追求信仰和限量版的话可以海盗船
