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女性拿着旅行签证来美国，半年内和美国公民结婚，不回国了行吗？电源管理ic芯片中做的比较好的品牌有哪些

admin admin 发表于2022-07-31 22:37:13 浏览80 评论0

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有小电流充电的方案也有大电流快充的方案,移民局会严格审查你国内申请美签证的真实性+入境时是否对边境移民官员虚假陈述入境目的+婚姻真实性,充电电流为400mA单节锂电池/聚合物锂电池充电-MCP73812这是Microchip的方案,移民局会比较特别审查入境时是否对边境移民官员虚假陈述入境目的+婚姻真实性,下面给大家分享几个锂电池充电的芯片,比如锂电池充电管理芯片,2)持非移民类签证入境的（包括B1/B2） a)入境30天内提交婚姻类绿卡AOS会被无条件自动拒签,MOS管在规格书中不会写导通压降这个参数。

女性拿着旅行签证来美国，半年内和美国公民结婚，不回国了行吗

从政策上是可行的，也是历年来很多人都这么和真爱在一起，或者奔移民去的。这里要注意两个前提

1)必须持你现有的签证合法入境，边境会在你护照上写你本次入境允许停留的时间（一般情况都会给到183天），你要做的就是在这个合法居留的时间段内，成功提交绿卡的身份调整Adjustment of Status(AOS)，这个点很重要，因为合法停留期内调整身份比逾期滞留后调整身份容易很多。

2)持非移民类签证入境的（包括B1/B2）

a)入境30天内提交婚姻类绿卡AOS会被无条件自动拒签；

b)入境30天以上60天以内提交AOS，不会自动拒签但是默认有重大签证虚假描述嫌疑，移民局会严格审查你国内申请美签证的真实性+入境时是否对边境移民官员虚假陈述入境目的+婚姻真实性；

c)入境60天以上90天以内提交AOS，不会自动拒签，但是移民局默认有轻度签证虚假描述可能，移民局会比较特别审查入境时是否对边境移民官员虚假陈述入境目的+婚姻真实性；

d)入境90天后提交AOS，移民局就会按正常流程进行审核，审查婚姻真实性。

这个是写在USCIS 官网green card based on marriage的指导大纲上AOS章节，英文版的。

不过现在Trump极其主张限制移民和打击非法移民的政策的大环境下，大概除了土豪的投资移民签证外，所有身份调整都收紧很多了，所以祝你好运。

电源管理ic芯片中做的比较好的品牌有哪些

做电源管理芯片的品牌很多

电源管理芯片技术已经很成熟了，国外、国内的品牌都以有做，需要根据自己的应用选择合适的方案就可以了。比如锂电池充电管理芯片，有小电流充电的方案也有大电流快充的方案，下面给大家分享几个锂电池充电的芯片。-aoson

单节锂电池/聚合物锂电池充电-BQ2408

这是TI的方案，最大充电电流可以达到750mA，过压输入保护为6.5V，有充电状态指示，比较适用于移动设备的充电，通近Rset可以设置充电电流。封为VSON10，尺寸只有3x3mm。

  • Rset=Vset x Kset / Iout.
  • Vset=2.5V
  • Kset=182
  • 当Rset=1.13K时，充电电流为400mA

单节锂电池/聚合物锂电池充电-MCP73812

这是Microchip的方案，充电电流可以设计在50~500mA，尺寸非常小，封装是SOT23-5，外围元件极少，只需要一个电阻，两个电容就可以了，很适合小型的移动设备充电。

Irog=1000V/Rprog，当Rprog=2K时，充电电流为500mA。

双向快充移动电源专用多合一芯片--SW6106

SW6106是国产的一款充电管理芯片，支持多种快充协议，很适合用于充电宝上。

  • 充电电流可以去到4A，效率有96%，高达18W的输出功率，效率高达95%。
  • 支持4.2/4.3/4.35/4.4V 多种电池类型，输出支持PD3.0/PD2.0/QC3.0/QC2.0/FCP/PE2.0/PE1.1/SFCP等多种的快充协议。
  • 支持PD3.0/PD2.05等的输入、还可以TypeC双向充电。

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stm32开漏输出时，mos管的导通压降是多少

STM32单片机的GPIO口的内部结构是由PMOS和NMOS背靠背构成的，将两个MOS管的漏极D引出，并和两个上下拉电阻连接在一起，可配置。其内部结构如下图所示。

单片机引脚配置为开漏极(OD)输出时，上下拉电阻都是断开的，输出的高电平并无驱动能力，MOS的压降取决于内部所使用的MOS管。这里分NOMS和PMOS两种情况来讨论一下。

NMOS推算导通压降

和晶体管不同，MOS管在规格书中不会写导通压降这个参数，而是写Rds(on)这个参数，即导通时DS之间的导通电阻，这个电阻非常小只有几个mΩ，以英飞凌的IRLR8726PbF为例，其导通内阻Rds(on)如下表所示。-aoson

表中表明，在25℃、ID电流为25A时，内阻典型值为4mΩ，由此可以推断出其压降大约为100mV；而在ID电流为20A时，内阻典型值为5.8mΩ，由此可以推断出其压降大约为116mV。

PMOS推断导通压降

以AOS的AO4419作为例子，在ID电流为9.7A时，其典型内阻值为16.5mΩ，由此可以推断出其压降大约为160mV。

一般来说，PMOS的内阻会大于NMOS的内阻，工艺也比NMOS复杂，同参数价格也稍高，这也是NMOS用的比PMOS多的原因。

以上就是这个问题的回答，感谢留言、评论、转发。

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