日前SK Hynix又宣布了1Ynm工艺的DDR5内存,SK Hynix表示DDR5内存在2020年才会量产,SK Hynix现在宣布的16Gb DDR5号称是首个完全满足JEDEC标准的DDR5内存芯片,2021年的时候DDR5内存将会占到整个内存芯片市场的25%,对此你怎么看前不久SK Hynix宣布量产了1Ynm工艺的8Gb DDR4内存,SK Hynix明确表示他们会在2020年量产DDR5内存,首批采用 SK 海力士 1Y nm 制造工艺的产品,DDR5 DRAM 还能够带来更高的性能（更高的工作频率）。

落后于三星和美光的SK海力士，计划何时出货第二代10nm DRAM产品

在公布 2019 年 1 季度业绩的同时，SK 海力士也宣布了产能提升的计划。

除了加大初代 10nm 制造工艺（1x nm）的产量，这家电子巨头还计划在今年下半年启用第二代 10nm DRAM 制造工艺（又名 1Y nm）。

这样的策略，可保障该公司在转型期内增加 DRAM 产品的供应，最终为降低成本和推出下一代内存做好准备。

【资料图，来自：SK Hynix，via AnandTech】

据悉，首批采用 SK 海力士 1Y nm 制造工艺的产品，将是其 8Gb DDR4-3200 内存颗粒。与采用 1X nm 制程的产品相比，新工艺可让 8Gb DDR4 的芯片尺寸缩小 20%、功耗降低 15% 。-sk海力士

此外，SK 海力士即将推出的 8Gb DDR4-3200 颗粒有两项重要的改进：4 相时钟方案、以及 Sense 放大器控制技术。

前者可提升信号强度，保障在搞数据传输速率下的稳定性；后者降低了晶体管尺寸缩小时，可能发生数据错误的可能性。

报道称，新 1Y nm 工艺不仅适用于年内增产的 DDR4 产线，也适用于 DDR5、LPDDR5、以及 GDDR6 DRAM 的制造。有鉴于此，该公司必须尽快提升二代 10nm 制造工艺。

实际上，SK 海力士向 10nm DRAM 制造工艺转进的速度，已经远远落后于美光和三星，其早就开始出货第二代 10nm 制程的产品。

自 2018 年以来，SK 海力士一直挣扎于初代 10nm DRAM 的制造，直到最近才有所缓解。让人松口气的是，该公司终于要在 2019 下半年正式出货第二代 10nm DRAM 了。

SK海力士宣布研发出DDR5内存，对此你怎么看

前不久SK Hynix宣布量产了1Ynm工艺的8Gb DDR4内存，频率3200Mbps，此举意味着SK Hynix的1Ynm工艺也开始量产了。日前SK Hynix又宣布了1Ynm工艺的DDR5内存，核心容量16Gb，频率5200Mbps，官方这是首个满足JEDEC标准的DDR5内存，性能比DDR4-3200内存高了60%，不过现在宣布DDR5内存芯片只是技术性的，SK Hynix表示DDR5内存在2020年才会量产。-sk海力士

DDR5是新一代内存标准，相关规范今年已经公布了，除了这次量产的SK Hynix之外，三星、美光之前也宣布了旗下的16Gb DDR5内存了，三星今年甚至宣布了移动版的LPDDR5-6400内存了。SK Hynix现在宣布的16Gb DDR5号称是首个完全满足JEDEC标准的DDR5内存芯片，使用的也是1Ynm工艺。-sk海力士

性能及功耗方面，DDR5内存的电压从DDR4的1.2V降至1.1V，功耗降低了30%，频率则达到了DDR5-5200，带宽比DDR4-3200内存高了大约60%。

SK Hynix的DDR5-5200内存也是目前官宣中性能最高的，各方面很好很强大，但是DDR5没这么快上市，SK Hynix明确表示他们会在2020年量产DDR5内存，也就是至少还有一年多时间。在SK Hynix之前，美光也宣布过DDR5内存量产计划，他们预计会在明年底开始量产DDR5内存。-sk海力士

根据SK Hynix援引的IDC的数据，2021年的时候DDR5内存将会占到整个内存芯片市场的25%，2022年占到44%的份额。不过他们的这个数据还是很乐观的，早前Cadence预测DDR5内存的份额在2020年会翻倍，但不超过主流市场的10%，2021年份额增加到15%，而在2022年达到25%，届时DDR4内存份额降至15%，DDR5完成逆袭DDR4的使命，不过这时候依然算不上普及。-sk海力士

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SK海力士最新研发的DDR5-6400内存，采用了怎样的技术规格

在本周的国际固态电路会议上，SK 海力士详细披露了自家即将上市的 DDR5-6400 内存芯片的一些技术细节。

SK 海力士描述道：这款 DDR5 内存采用了单颗 16Gb 的存储颗粒（32 & 8 banks 组成），工作电压 1.1V、传输速率 6400 MT/s 。

EETimes 报道称，其采用 SK 海力士的第二代 10nm 工艺制造（1y nm 技术 / 四金属层），封装尺寸为 76.22 平方毫米。

TechInsights 指出，海力士的 8Gb DDR4 内存，使用了第一代 21nm 制造工艺，封装尺寸也是 76 平方毫米。不过类似的 DDR5 产品，核心尺寸只有 53.6 平方毫米。

得益于存储密度的增加，SK 海力士有望为 PC 客户打造成本相对较低的 8Gb DDR5 芯片。此外，DDR5 DRAM 还能够带来更高的性能（更高的工作频率）。

为减少影响高频工作稳定性的时钟抖动和占空比失真，SK 海力士必须制作一套新的延迟锁定环（DLL）方案。该公司的选择，是采用相位旋转器和注入锁定振荡器。

此外，该芯片还配备了可修正的前向反馈均衡（FFE）电路，以及全新的写入级别训练方法（同样支持更高频的时钟）。