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什么限制了晶圆尺寸的增大为什么尺寸越大越好
成本限制了晶圆尺寸的增大。不是越大越好，涉及到昂贵的设备升级。因为增大尺寸简单，但一条生产线所有的设备都得跟着换。增加的效益抵不上各类设备换代所产生的成本。任何事都有一个边界效应的。
晶圆是从单晶硅棒切片得来的，生成单晶硅棒一般用的是直拉法，结晶过程中旋转速度越慢直径越大，但是直径越大可能导致由于旋转速度不稳定带来的晶格结构缺陷。同时直径越大就意味着晶圆重量越大，边缘处就更容易出现翘曲的情况。因此，晶圆越大，良品率越低，成本越高。
通常来说，提升晶圆直径是为了提升单晶硅的利用率从而降低成本，当降低的成本不能弥补大直径晶圆生产中增加的成本的时候，选用更大尺寸的晶圆进行生产就变得不可行了。
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主。-晶圆
晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1 片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。
同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点。
想知道晶圆是什么东西
晶圆是电路制作所用的硅晶片。由于其形状为圆形，故称为晶圆，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品，半导体集成电路最主要的原料是硅，因此对应的就是硅晶圆。
晶圆的工艺
初次氧化，由热氧化法生成SiO2缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术，热CVD，此方法生产性高，梯状敷层性佳（不管多凹凸不平，深孔中的表面亦产生反应，及气体可到达表面而附着薄膜）等，故用途极广。-晶圆
硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中，硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤，硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型，制造工艺，表面清洗，晶圆表面附着大约2um的Al2O3和甘油混合液保护层，在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。-晶圆
晶圆的尺寸
晶圆是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至研发更大规格（14英寸、15英寸、16英寸、……20英寸以上等）。
晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就越多，可降低成本；但对材料技术和生产技术的要求更高。一般认为硅晶圆的直径越大，代表着这座晶圆厂有更好的技术.在生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。
-晶圆
8英寸晶圆是什么意思
8英寸晶圆表示生产芯片的晶圆为8英寸半径的圆形材料。晶圆，多指单晶硅圆片，由普通硅沙拉制提炼而成，是最常用的半导体材料。按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至更大规格。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就多。
单晶硅片：
硅的单晶体，是一种具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
-晶圆
晶圆是什么东西
晶圆是生产集成电路所用的载体。
晶圆（英语：Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，是生产集成电路（integrated circuit，IC）所用的载体。而我们现实中比较常见到的硅晶片就要数电脑CPU和手机芯片。
在半导体行业，尤其是集成电路领域，晶圆的身影随处可见。晶圆就是一块薄薄的、圆形的高纯硅晶片，而在这种高纯硅晶片上可以加工制作出各种电路元件构，使之成为有特定电性功能的IC产品。
晶圆制造工艺：
表面清洗：晶圆表面附着大约2um的Al2O3和甘油混合液保护层，在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。
初次氧化：由热氧化法生成SiO2缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术。
热CVD：此方法生产性高，梯状敷层性佳（不管多凹凸不平，深孔中的表面亦产生反应，及气体可到达表面而附着薄膜）等，故用途极广。
以上内容参考：百度百科-晶圆
12寸晶圆直径的换算
30.48cm。
1寸就是1英寸=2.54厘米，这个晶圆的直径=12*2.54=30.48cm。
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1 片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点。
-晶圆
晶圆保质期
质保期一般二年
晶圆（Wafer）是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。
晶圆是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至研发更大规格（14英_、15英_、16英_、??20英_以上等）。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就越多，可降低成本；但对材料技术和生产技术的要求更高。一般认为硅晶圆的直径越大，代表着这座晶圆厂有更好的技术。在生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件。
-晶圆
晶圆是什么
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片。
晶圆原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。如今国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。
晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1 片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。
晶圆的抛光：
为防止晶圆在旋转过程中被甩出，抛光头必须具有保持环结构。在 CMP 技术的发展历程中出现过两种保持环：固定保持环和浮动保持环。
由于固定保持环无法避免边缘效应，目前的主流 CMP 装备均采用了浮动保持环，通过对浮动保持环施加不同的压力可以调节晶圆与抛光垫的接触状态，从而有效改善边缘效应。
由于保持环与抛光垫紧密贴合，必须在保持环底部设计一系列沟槽以引导抛光液顺利进入晶圆/抛光垫界面。此外，为提高寿命，保持环需选择高强度、耐腐蚀、耐磨损的聚苯硫醚或聚醚酮 等材料。
什么是约当晶圆
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片。
约当标准型的对角元素就是约当块，晶圆是制造半导体芯片的基本材料，半导体集成电路最主要的原料是硅，因此对应的就是硅晶圆。
硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中，硅晶圆的制造可以归纳，硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。
单晶硅棒的直径是由籽晶拉出的速度和旋转速度决定的，一般来说，上拉速率越慢，生长的单晶硅棒直径越大。
-晶圆
8寸晶圆怎么书写
书写为直径为175mm（17.5cm）的晶圆。8寸晶圆，全称是8寸硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆是半导体晶体圆形片的简称，是圆柱状半导体晶体的薄切片，用于制作集成电路。
