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ddr2 2 么

DDR2和DDR3的插槽怎么分辨？主板插槽DDR2和DDR3有什么区别、哪个好

admin admin 发表于2022-09-06 05:29:31 浏览529 评论0

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本文目录

DDR2和DDR3的插槽怎么分辨

　　同代内存的插槽与内存条的插脚是一致的。识别方法：

　　1、直观查看内存条的防呆口位置，即可轻易分辨出来：

　　① 台式机内存条对比，下图中DDR3的防呆缺口左边有48pin，缺口右边为72pin；DDR2的防呆缺口左边有56pin（缺口偏左），缺口右边为64个针脚（缺口偏中央）；

　　② 笔记本内存条防呆口对比，DDR2缺口偏左，DDR3缺口偏中；

　　

　　2、主板上内存插槽的识别如下图，不同代条子因PCB板的防呆口，与插槽的防呆口，位置不相同，错插是插不到位的，只能对号入座。

　　

　　3、至于内存的规格参数差别，有些太专业了，不是普通用户能理解的。用户也可通过条子上厂商标贴，根据标示的字母数字识别内存型号、规格、容量、代数。

　　

主板插槽DDR2和DDR3有什么区别、哪个好

主板插槽DDR2和DDR3区别如下：

DDR2和DDR3的插槽‘防呆’是不一样也即不能互插，内存条一代更比一代高：DDR3比DDR2频率更高，速度更快，容量更大，性能更好。

DDR4成功上市：

DDR4标准与DDR3标准简单对照表：

内存条DDR1与DDR2有什么区别

DDR1是单通道，而DDR2是双通道。意思是，两条同样的DDR2内存条，同样速度，同样容量，他们的运行速度可以是两条的和。比如有两条DDR2-533
1GB的内存，内存的前端频率总和可以运行到1066，就好像把两并成一条了.而DDR不行，就算是两条一模一样的内存条，也只能是单条的速度。-2

DDR2是什么

DDR 也就是“双倍数据传输”（double datarate）的缩写，这几年来一直是PC内存的主流标准。目前DDR已达到400MHz，DDR2将以533MHz起跳，并在年底前达到667MHz.更高的时脉将可达到更高的数据传输，提高PC性能。
同时DDR2也会更省电。根据Samsung的统计，533MHz时脉的DDR2的用电量不到400MHzDDR的65%.这也将节省笔记型计算机的耗电量。
为什么DDR2的速度可以如此高呢？这主要是由于芯片使用了新的技术和特征，改进了数据信号的集成度，使得有能力运作在更快速的时钟速度。这些技术包括了“On-Die Termination”和“Off-Chip Driver Calibration”，当然还有很多其它的新技术，比如DDR2有更大的4-bit预取，增强的寄存器。On-Die Termination或者ODT，意味着Mount Termination Register(装载终端晶体管)，已经从主板的本身转移到了DRAM芯片上面。这样，可以通过控制在传输路径中的反射噪音，从而改进信号的完整性，并且由于更好地处理好了终端晶体管的放置和布线，系统的设计也更加简单了。
Off-Chip Driver Calibration或者OCD，是一些I/O驱动电阻，它可以通过调整电压而平衡Pull-up/Pull-down电阻。通过最少DQ-DQS畸变，改进了信号的完整性，并且通过控制overshoot和undershoot，还有通过I/O驱动电压校验，改进信号的质量。
在4-bit预取的架构里面，DDR2 SDRAM每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。这里有点想请大家注意，那就是DDR2的内部时钟要比DDR1更慢，不过由于它的预取要比DDR1大，因此外部时钟被加倍了。例如，我们使用DDR2的4-bit预取在今天的DDR400上面，那么它将运作在DDR800。因此DDR2 400模组的内部时钟仅能够降低到100MHz，而DDR2-533则为133MHz，DDR400和DDR2 400有相似的性能。
基本上来说，没有，也就是说从DDR400到DDR2 400没有性能的增长，甚至从DDR-533到DDR2-533也依然如此。DDR2技术是使得内存速度能够超越DDR533，甚至更高，而在以后DDR1 VS DDR2的性能对比测试中，我们更会有更深刻的体现。
采用了BGA内存芯片的Kingston的DDR2内存条，而目前几乎所有的DDR内存条都是采用TSOP封装。FBGA和BGA一样拥有更好的信号响应，同时体积更小，散热性更佳。FBGA封装技术还可以提高连接密度。
DDR2的总线宽度与DDR 64 bit的宽度完全相同，但前者由于运行在双通道模式，因此能够提供高达128 bits的总线宽度。在目前来说，DDR2和DDR3都已经开始被使用在某些对内存带宽需求较高的高端显示卡中。目前我们在市场上见到的DDR2，却并非我们将要看到量产的DDR2，因此目前PC-4300和PC2-4300的性能，未来将会有极大的改观，要知道内存控制器正在进行重大的改进。-么

显卡DDR2和DDR3有什么区别

一、主体不同

1、DDR2：是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准。

2、DDR3：是一种计算机内存规格。是DDR2 SDRAM（同步动态动态随机存取内存）的后继者。

二、特点不同

1、DDR2：采用FBGA封装形式，而不同于广泛应用的TSOP/TSOP-Ⅱ封装形式。

2、DDR3：采用点对点的拓扑架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。

三、寻址时序不同

1、DDR2：DDR2的CL范围在2～5之间，AL的范围是0～4。

2、DDR3：DR3的CL范围在5～11之间，AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。

参考资料来源：百度百科-DDR3

参考资料来源：百度百科-DDR2

DDR2是什么意思

DDR2
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR2与DDR的区别：
1、延迟问题：
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
2、封装和发热量：
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
DDR2采用的新技术：
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。-2

DDR2这个2表示什么

DDR显存分为两种，一种是大家习惯上的DDR内存，严格的说DDR应该叫DDR SDRAM。另外一种则是DDR SGRAM，此类显存应用较少、不多见。
DDR SDRAM
人们习惯称DDR SDRAM为DDR。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR SDRAM是在SDRAM基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。DDR SDRAM是目前应用最为广泛的显存类型，90%以上的显卡都采用此类显存。
DDR SGRAM
DDR SGRAM是从SGRAM发展而来，同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。可以在不增加频率的情况下把数据传输率提高一倍。DDR SGRAM在性能上要强于DDR SDRAM，但其仍旧在成本上要高于DDR SDRAM，只在较少的产品上得到应用。而且其超频能力较弱，因其结构问题超频容易损坏。
DDR2显存可以看作是DDR显存的一种升级和扩展，DDR2显存把DDR显存的“2bit Prefetch(2位预取)”技术升级为“4 bit Prefetch(4位预取)”机制，在相同的核心频率下其有效频率比DDR显存整整提高了一倍，在相同显存位宽的情况下，把显存带宽也整整提高了一倍，这对显卡的性能提升是非常有益的。从技术上讲，DDR2显存的DRAM核心可并行存取，在每次存取中处理4个数据而非DDR显存的2个数据，这样DDR2显存便实现了在每个时钟周期处理4bit数据，比传统DDR显存处理的2bit数据提高了一倍。相比DDR显存，DDR2显存的另一个改进之处在于它采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式，工作电压也由2.5V降为1.8V。
由于DDR2显存提供了更高频率，性能相应得以提升，但也带来了高发热量的弊端。加之结构限制无法采用廉价的TSOP封装，不得不采用成本更高的BGA封装(DDR2的初期产能不足，成本问题更甚)。发热量高、价格昂贵成为采用DDR2显存显卡的通病，如率先采用DDR2显存的的GeForce FX 5800/5800Ultra系列显卡就是比较失败的产品。基于以上原因，DDR2并未在主流显卡上广泛应用。
DDR3显存可以看作是DDR2的改进版，二者有很多相同之处，例如采用1.8V标准电压、主要采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式。不过DDR3核心有所改进：DDR3显存采用0.11微米生产工艺，耗电量较DDR2明显降低。此外，DDR3显存采用了“Pseudo Open Drain”接口技术，只要电压合适，显示芯片可直接支持DDR3显存。当然，显存颗粒较长的延迟时间(CAS latency)一直是高频率显存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CAS latency为5/6/7/8，相比之下DDR2为3/4/5。客观地说，DDR3相对于DDR2在技术上并无突飞猛进的进步，但DDR3的性能优势仍比较明显：
(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。
(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。-么

内存类型：DDR2是什么意思

目前工作站中常用的内存有SDRAM、DDR及RAMBUS等几种内存。
SDRAM是“Synchronous Dynamic random access memory”的缩写，意思是“同步动态随机存储器”，就是我们平时所说的“同步内存”，这种内存采用168线结构
DDR
DDR是一种新诞生的内存技术，DDR，英文原意为“DoubleDataRate”，顾名思义，就是双数据传输模式。之所以称其为“双”，也就意味着有“单”，我们日常所使用的SDRAM都是“单数据传输模式”，这种内存的特性是在一个内存时钟周期中，在一个方波上升沿时进行一次操作（读或写），而DDR则引用了一种新的设计，其在一个内存时钟周期中，在方波上升沿时进行一次操作，在方波的下降沿时也做一次操作，之所以在一个时钟周期中，DDR则可以完成SDR两个周期才能完成的任务，所以理论上同速率的DDR内存与SDR内存相比，性能要超出一倍，可以简单理解为100MHZ DDR=200MHZ SDR。
RAMBUS内存是RAMBUS公司推出的新一带内存，这种内存能够提供十倍于普通DRAM和三倍于PC100 SDRAM的性能，单根的RAMBUS DRAM，即RDRAM，在16位的数据传输通道上速度可高达800MHz。
DDR2的定义：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
1、延迟问题：
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
2、封装和发热量：
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。
DDR2采用的新技术：
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。-2

DDR2800的内存好还是DDR31333的好.


前几天看了一个测试！
效果就是DDR3
1333的性能测试还是要比DDR2
800的带宽测试里面领先比较多！但是实际综合游戏测试一般也就是1到2帧的差距！
理论带宽上面差距虽然比较大但是实际表现领先的优势有限……
对于现在DDR2和DDR3的内存还有30元左右的差距，如果你对预算比较控制可以考虑是用DDR2性能差距很小，如果你对这个60（两条内存）的预算差距无所谓，那么选择DDR3更好……
-么

电脑显示DDR2800singIechanneI,64-bi

电脑如法启动。
现在不知道具体的问题在那里，没有报警声，那就先考虑是最简单的问题。比如内存条松动，或者因为金手指氧化而导致主板无法识别到内存，这个时候就把内存条拔下，擦拭干净后在插入。
如果还不行，如有独立显卡，也同样拔下后擦拭金手指，如果主板有集成的vga接口，可以用主板的显卡接口，等判断好问题所在后在插上显卡。如果内存显卡，擦拭后都不能解决问题，那也别慌，可以把主板山的coms电池拿下，断电，等几分钟后装上。有时候因为硬件的改动，而导致coms配置改变也可能导致开不了机。如果这些都不行就要考虑主板或者cpu的问题。
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