本文目录
- MBR20100FCT是不是ASEMI高压肖特基呢详细的参数数据可以分享一下吗
- 高压肖特基二极管特性是什么
- 肖特基二极管有哪些优点
- 解释电力电子器件si产品和sic的区别
- 王牌智能电视开不开机怎么回事
- SBT3060VCT是ASEMI高压肖特基二极管型号吗
- 肖特基二极管的结构原理
- 肖特基二极管为什么不能工作在高压
MBR20100FCT是不是ASEMI高压肖特基呢详细的参数数据可以分享一下吗
因为肖特基可以适应高频超高频电路整流，但是不能用普通整流二极管替代，所以还是找找MBR1045CT原型号比较放心是的
MBR1045CT是肖特基二极管，您可以找找看，并且封装应该是
TO-220
AB半塑封，但是普通整流二极管只能适用中低频的电路整流，ASEMI应该也会有这款的。您是做维修的吧
高压肖特基二极管特性是什么
肖特基二极管主要优点：
1、正向压降低，约只有一般硅二极管的一半。在下向导通时由于正向电压低消耗的二极管上的功耗也小。
2、反向恢复时间小，比超快速恢复管还要小得多。在高频电路中除了正向导通功耗外还有较大的功耗就是开关功耗，反向恢复时间越小开关功耗也就越小。
肖特基二极管有哪些优点
优点：
SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和 200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
-2010
解释电力电子器件si产品和sic的区别
SI器件和SIC器件的比较两者主要是性能不同。
SiC是什么?
碳化硅(SiC)是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或 β-SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α-SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使SiC可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能。
相比于Si器件，SiC功率器件的优势：
作为一种宽禁带半导体材料，SiC对功率半导体可以说是一个冲击。这种材料不但击穿电场强度高、热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点。具体来看，其导热性能是Si材料的3倍以上;在相同反压下，SiC材料的击穿电场强度比Si高10倍，而内阻仅是Si片的百分之一。SiC器件的工作温度可以达到600℃，而一般的Si器件最多能坚持到150℃。
因为这些特性，SiC可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件，应用于Si 器件难以胜任的场合。以SiC肖特基二极管为例，它是速度最快的高压肖特基二极管，无需反向恢复充电，可大幅降低开关损耗、提高开关频率，适用于比采用硅技术的肖特基二极管高得多的操作电压范围，例如，600V SiC肖特基二极管可以用在SMPS中，300V SiC肖特基二极管可以用作48~60V快速输出开关电源的整流二极管，而1，200V SiC肖特基二极管与硅IGBT组合后可以作为理想的续流二极管。
采用硅材料的MOSFET在提高器件阻断电压时，必须加宽器件的漂移区，这会使其内阻迅速增大，压降增高，损耗增大。阻断电压范围在1，200~1，800V的硅MOSFET不仅体积大，而且价格昂贵。IGBT虽然在高压应用时可降低导通功耗，但若开关频率增加时，开关功耗亦随之增大。因此IGBT在高频开关电源上亦有其本身的限制。而用SiC做衬底的MOSFET，可轻易做到1，000～2，000伏的MOSFET，其开关特性(结电容值，开关损耗，开关波型等)则与100多伏的硅MOSFET相若，导通电阻更可低至毫欧值。在高压开关电源应用上，完全可取代硅IGBT并可提高系统的整体效率以及开关频率。
价格差异：
单就Si器件和SiC器件的价差来看，确实有较大的差异，但如果从SiC器件带来的系统性能提升来看，将会发现其带来的总体效益远远超过两类器件的价差。在SiC特别适合的高压应用中，如果充分发挥SiC器件的特性，这一整体优势表现得非常明显。
-数据
王牌智能电视开不开机怎么回事
咨询记录 · 回答于2021-12-25
王牌智能电视开不开机怎么回事？
重点检查行逆程电容，行推动级，可以测电流来判断，如果是行推动激励不足，或高压包坏，行管电流即过大，管会发热严重，最终烧坏，如果是逆程电容失效，反峰脉冲将升高，有条件可以实测一下，用高压肖特基二极管接行管集电极，再用个高压电容整流实测，没有就干脆换了电容试机(先排除前面两种情况再试)，另外还有一种情况就是行电路电源退耦滤波电容失效(有的品牌机有退耦电路)，行电路无交流回路，这种情况也会使行电流增大，不过这种情况很少，一般是电容很接近散热源。
-2010
SBT3060VCT是ASEMI高压肖特基二极管型号吗
如上图datasheet所示，SBT3060VCT是ASEMI肖特基二极管，但不是高压二极管，红色方框内表明SBT3060VCT的反向电压只有60V，远达不到高压二极管的标准，一般高压二极管都会标明HIGH VOLTAGE，例如下图的高压二极管R300。-数据
肖特基二极管的结构原理
简单的解释一下原理：
肖特基二极管（音译Schottky)实质上是一种金属-半导体器件，金属早期多用贵金属（金银等）制作，现在有铝基的，半导体为N型以提供所需电子。静置时由于扩散漂移形成势垒，两极正偏连接（金属接阳，半导体接阴）势垒宽度变窄，易于形成电流，过一定正偏值可理解为导通，反偏时势垒宽度变大，可理解为截止。
几个特性，作为应用者了解就够了：
肖特基中为单子形成电流，那就是电子，金属中无空穴扩散参与；
肖特基二极管的正向导通电压比一般二极管小很多，一般为0.1~0.4V，而普通的为0.5~0.7V；
反向恢复时间短，电流通透能力大，可达安培以上量级甚至千安量级。
至于结构，需要查阅半导体器件制造的相关书籍。
-2010
肖特基二极管为什么不能工作在高压
这是特基二极管的结构造成的，肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒),而且因为反向漏电流较大,所以耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合 。
-数据
