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东芝18TB MAMR近线存储硬盘新品，采用了哪种磁记录技术
本周四，昭和电工株式会社（Showa Denko KK / 简称 SDK）宣布：
其已完成了下一代微波辅助磁记录（MAMR）机械硬盘（HDD）盘片的开发，并计划于今年晚些时候向东芝的 18TB 近线存储产品线供货。除了 MAMR 媒介，SDK 还计划在将来发布基于热辅助磁记录（HAMR）技术的 HDD 盘片。
据悉，由于采用了新的磁记录层，最新的 3.5 英寸盘片将单碟容量提升到了 2TB 。【资料图：东芝 MG07 系列机械硬盘】
其矫顽力可以通过微波降低（MAMR 技术简介），不过 SDK 没有详细说明 2TB MAMR 碟片采用了哪种磁性合金或基板。
参考西部数据（Western Digital）那边的公告，两者应该都基于相似的垂直磁纪录（PMR）技术。对东芝及其消费者而言，意味着此类 HDD 带来不错的性价比与可靠性。
SDK 表示，东芝将在其最新的近线硬盘驱动器上使用 9 张 2TB MAMR 盘片，单盘容量高达 18TB，有望在今年晚些时候出样（并与 2020 年上市）。
SDK 的 MAMR 盘片，可能基于该公司最新研制的铝基板，单片 PMR 介质的厚度为 0.635 毫米。不过这些只是外界的猜测，尚未得到官方的证实。
与当前的 7200 转机械硬盘相比，增加的盘片密度将不可避免地提升最大持续传输速率，但每 TB 的 IOPS 性能仍有待观察。
毕竟如果该驱动器在磁头等机构上采用了特殊的设计，那么东芝将不得不对现有的固件作出重大的调整。（参考资料请戳这里）
昭和电工还表示，除了 MAMR 介质外，它还有望在时机成熟时，提供基于热辅助磁记录（HAMR）技术的盘片，目前这项技术技术正在走向商业化的道路上。
如何看待英特尔前任CFO担任东芝存储主席
在过去的两年里，英特尔不仅面临着10nm制程工艺延期、被台积电、三星赶超的艰难，公司内部也经历了多次改组，2016年开始的战略改组导致不少高管离职，包括前CCG部门总经理Kirk Skaugen（施浩德）、前DCG总经理Diane Bryant，还有Stacy Smith，他加入英特尔公司三十年了，今年1月底退休，但他实际上是退而不休，今年10月份去了东芝存储公司担任执行主席，此前一度是英特尔新任CEO的候选人，现在来看不可能了。-东芝存储官网
在英特尔前任CEO科再奇的任内，特别是这两年里英特尔高管离职是最多的，外界传闻有说是受到CEO排挤也有说是对科再奇不满，特别是14到10nm节点不断延期的问题上。这些流言蜚语无法证实，不过科再奇任内有多位老将离职确实罕见。-东芝存储官网
至于Stacy Smith，1998年就加入了英特尔公司任职，先后担任英特尔EMEA（欧洲中东地区）销售及营销部门主管、首席信息官、首次财务官，离开之前担任英特尔制造、运营及销售总裁职务。不过Stacy Smith在官方的说明中并不是离职，而是退休，该消息去年8月中旬就宣布了，今年1月底正式退休。-东芝存储官网
不过Stacy Smith从英特尔退休了，本人并没有闲下来，上周东芝存储公司宣布Stacy Smith将从10月开始担任公司执行主席。从英特尔转战东芝，他并没有离开半导体行业，只不过是从处理器转战存储芯片行业了。-东芝存储官网
随着Stacy Smith任职东芝，有关他候选英特尔CEO一职的可能也落空了。5月份科再奇被董事会以婚外情的名义辞退，寻找CEO就是英特尔的头等大事，候选名单倒是很长，除了公司内部人选Navin Shenoy孙纳颐以及Murthy Renduchintala之外，从英特尔离职的高管也是重要人选范围，其中就包括Stacy Smith，尽管他之前有过表态不会担任CEO，不过希望还在，现在去了东芝之后，这次真的没可能了。-东芝存储官网
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东芝首发UFS 3.0闪存，真的能媲美SSD性能吗
今年的智能手机除了5G、AI这两个大热点之外，在性能上还会再进一步，内存会升级到LPDDR5标准，闪存也会有UFS 3.0新一代标准，该规范去年初就制定完成了，此前爆料称三星的Galaxy S10手机就会用上自家的UFS 3.0闪存。至于其他厂商，那就要依靠东芝等NAND厂商了，日前东芝就首发了UFS 3.0闪存，容量128/256/512GB，使用的是自家96层堆栈的3D TLC闪存，具体性能没公版，只说比前代读写提升70%、80%，但这个性能追上一些NVMe硬盘还是可以的。-东芝存储官网
去年这个时候，JEDEC组织正式发布UFS 3.0标准（JESD220D），一道被发布的还有更新后的接口标准（UFSHCI）：JESD223D，以及适用于拓展存储卡标准的UFS Card Extension 1.1（JESD220-2A。过去UFS 2.0采用的HS-Gear2（G2）规范是单通道单向理论带宽1.45Gbps，双通道双向理论带宽就是5.8Gabps；随后UFS 2.1采用的HS-Gear3（G3）理论带宽翻倍达到11.6Gbps，而今天刚刚发布的UFS 3.0标准采用的带宽规范是HS-Gear4（G4），再次实现带宽翻倍，也就是单通道双向11.6Gpps，因此双通道双向带宽的理论最高值就是23.2Gbps，大约是2.9GB/s。-东芝存储官网
东芝的UFS 3.0闪存采用了自家BiCS 4技术的96层堆栈3D TLC闪存，标准11.5x13mm封装，容量128GB、256GB及512GB，不过后两种容量暂时还没出样，现在只有128GB版出样给客户了。-东芝存储官网
性能方面，东芝没有透露具体的指标，只说比UFS 2.1闪存的读写速度提升了70%、80%，找了下东芝官网，东芝此前发布的了64层堆栈的UFS 2.1闪存的读取速度可达900MB/s，写入为180MB/s，按照这个数据来看UFS 3.0的读取速度约为1.5GB/s，写入速度324MB/s，这个速度跟一些低端NVMe硬盘的性能有得一拼了，毕竟手机UFS闪存在DDR缓存方面会吃亏一些，不然写入速度也可以更好看一些。-东芝存储官网
至于哪款手机能够首发UFS 3.0闪存，MWC 2019展会上就能见分晓了。
