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铠侠（原东芝存储）开发的新型Twin BiCS FLASH闪存，有着怎样的特点
铠侠（Kioxia）宣布，其已开发出一种名叫“Twin BiCS FLASH”的新式半圆形 3D 存储单元结构。
与传统循环设计的电荷陷阱单元相比，铠侠首创的这种半圆形 3D 浮栅单元结构，具有更大的编程 / 擦除窗口和斜率，且单元尺寸做到了更小。
展望未来，这种设计有望在超越 4-bit（QLC）的存储装置中发挥巨大作用 —— 减少堆栈层数、或提供更高的存储密度。
（题图 via Kitguru）
在本月早些时候于旧金山举办的 IEEE 国际电子设备会议上，铠侠宣布了这项新技术。近年来，随着 3D 堆叠层数的增加，厂商得以通过更低的成本来实现更高的位密度。
然而在层数超过 100 之后，工艺的复杂程度也迅速提升，对产品的良率和一致性提出了更大的挑战。为了克服这些问题，铠侠提出了全新的半圆形单元设计。
其在传统圆形单元的基础上，对栅电极进行了分割，从而减少单元的尺寸，以实现在较少单元层数的情况下，带来高密度的存储。
铠侠称，半圆形浮栅（FG）单元具有出色的编程 / 可擦写特性，有望获得紧密的 QLC Vt 分布和较小的单元尺寸。
作为行业向前发展、追求更高比特密度的一个可行选项，该公司将继续致力于 Twin BiCS FLASH 的研发，并将之投入实际应用。
与英特尔傲腾相比，西数秘密研发的低延迟闪存有怎样的特点
外媒报道称，存储大厂西部数据（WD）正在开发自家的低延迟闪存，与传统 3D NAND 相比，其能够带来更高的性能和耐用性，旨在与英特尔傲腾产品展开竞争。
在本周的 Storage Field Day 上，西数透露该技术介于 3D NAND 与 DRAM 之间，类似于英特尔傲腾和三星 Z-NAND 。其访问延迟在微妙级，使用 1-bit 或 2-bit 的存储单元。
作为一款性能向的定制设备，LLF 存储的成本是 DRAM 的 1 / 10 。但是按照当下的每 GB 价格计算，其成本是 3D NAND 存储的 20 倍。
换言之，这项技术只会在数据中心或高端工作站普及开来。
西数没有透露其低延迟闪存的所有细节，也无法说明它是否与去年推出的东芝 XL-Flash 低延迟3D NAND 或其它特殊类型的闪存的关联有关。
至于实际的 LLF 产品将于何时上市，该公司不愿表态。即便西数的 LLF 基于 BiCS4 的 3D NAND 存储技术打造，即日起开始生产的难度也不大。
有趣的是，尽管西数的低延迟闪存将与英特尔傲腾和三星 Z-NAND SSD 展开竞争，但该公司并未将 LLF 称为“存储级内存”（SCM）。
从长远来看，西数正在秘密开发基于 ReRAM 的存储级内存产品，并与惠普携手开发基于忆阻器的 SCM 硬件。
当然，研发往往需要多年。在下一代技术投入使用前，业界还是会着力于更成熟的 NAND 闪存，来满足客户对于容量和性能的需求。
什么是闪存闪存的作用是什么
闪存盘是一种移动存储产品，可用于存储任何格式数据文件和在电脑间方便地交换数据。闪存盘采用闪存存储介质（Flash Memory）和通用串行总线（USB）接口，具有轻巧精致、使用方便、便于携带、容量较大、安全可靠、时尚潮流等特征。-闪存的特点
闪存盘可用来在电脑之间交换数据。从容量上讲，闪存盘的容量从16MB到2GB可选，突破了软驱1.44MB的局限性。从读写速度上讲，闪存盘采用USB接口，读写速度比软盘高许多。从稳定性上讲，闪存盘没有机械读写装置，避免了移动硬盘容易碰伤、跌落等原因造成的损坏。部分款式闪存盘具有加密等功能，令用户使用更具个性化。闪存盘外形小巧，更易于携带。-闪存的特点
