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性能提升30% 三星3nm GAA性能路线公开
admin 发表于2022-06-29 浏览108 评论0
近日举办的三星代工论坛2021大会上，三星披露了最新工艺进展和路线图。FinFET 晶体管结构的潜力几乎已被挖掘。三星下一步就是用GAA环绕栅极，其中 3nm工艺有两个版本，3GAE（低功耗版）将于2022年初量产。3GAP（高性能版）将于...